Study of SiO2 Interfacial Layer Growth during Fabrication Process of Ferroelectric HfxZr1-XO2-Based Metal-Ferroelectric Semiconductor

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Symposium on Semiconductor Process Integration (12. : 2021 : Online) Semiconductor Process Integration 12
1. Verfasser:	Onaya, T. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Nabatame, T. (VerfasserIn), Inoue, M. (VerfasserIn), Sawada, T. (VerfasserIn), Ota, H. (VerfasserIn), Morita, Y. (VerfasserIn)
Pages:	12
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
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