Permanent deactivation of boron-oxygen-related recombination centres in crystalline silicon

Dissertation, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, 2016

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Walter, Dominic Christof (VerfasserIn)
Körperschaft:	Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover (Grad-verleihende Institution)
Weitere Verfasser:	Schmidt, Jan (AkademischeR BetreuerIn), Pfnür, Herbert (AkademischeR BetreuerIn), Macdonald, Daniel (AkademischeR BetreuerIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Hannover Dezember 2016
Schlagworte:	Hochschulschrift > Czochralski-Verfahren > Silicium > Sauerstoff > Bor > Gitterbaufehler > Rekombination > Solarzelle
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Dissertation, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, 2016 Boron-oxygen-related defect centres, deactivation, carrier lifetime. - Bor-Sauerstoff-korrelierte Defektzentren, Deaktivierung, Ladungsträgerlebensdauer
Beschreibung:	ix, 141 Seiten Diagramme