Povedenie charakteristik poluprovodnikovych detektorov iz kremnija i germanija pri temperaturach niže 77 K = Performance of semiconductor detectors made from silicon and germanium at temperatures below 77 K

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Gusev, K.N. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Gurov, Ju. B. (VerfasserIn), Katulina, S. L. (VerfasserIn), Pavlov, V. N. (VerfasserIn), Sandukovskij, V. G. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	rus
Veröffentlicht:	Dubna Obʺedinennyj institut jadernych issledovanij 2006
Schriftenreihe:	Obʺedinennyj institut jadernych issledovanij R13-2006-91
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