Epitaxie virtueller Germaniumsubstrate für III-V-Halbleiter

Dissertation, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, 2016

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Grimm, Andreas (VerfasserIn)
Körperschaft:	Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover (Grad-verleihende Institution)
Weitere Verfasser:	Wietler, Tobias (AkademischeR BetreuerIn), Tegenkamp, Christoph (AkademischeR BetreuerIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Hannover 2017
Schlagworte:	Hochschulschrift > Drei-Fünf-Halbleiter > Germanium > Epitaxie
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Dissertation, Gottfried Wilhelm Leibniz Universität Hannover, 2016 Germanium, Silizium, Galliumarsenid. - Silicon, gallium arsenide
Beschreibung:	ix, 174 Seiten Illustrationen, Diagramme