"Investigation and surface characterization of InAsSbP-, Si- und Ge nanostructures for mid-infrared and thermoelectric applications" : final report

"Investigation and surface characterization of InAsSbP-, Si- und Ge nanostructures for mid-infrared and thermoelectric applications" final report

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaften: Erevani Petakan Hamalsaran (Herausgebendes Organ), Leibniz-Institut für Kristallzüchtung (Herausgebendes Organ), Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (Herausgebendes Organ)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Berlin Leibniz-Institute for Crystal Growth (IKZ) 2014
Schlagworte:
Forschungsbericht
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 01DK13017
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
"The joint project between Yerevan State University (YSU), Leibniz-Institute for Crystal Growth (IKZ), and Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (PDI) was granted by the State Committee of Science of Armenia with the beginning in 1st June 2013 for one year. Due to delays, the International Bureau of BMBF has granted the project beginning from 1st October 2013. Duration of the project is was year."
Beschreibung:13 Blätter
Illustrationen, Diagramme