Wachstum und Charakterisierung von ein- und zweidimensional gitterangepasstem AlInN auf GaN verschiedener Orientierungen für verspannungsfreie und metamorphe Puffer-Schichten

Dissertation, Technische Universität Carolo-Wilhelmina zu Braunschweig, 2016

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Korn, Ernst Roland (VerfasserIn)
Körperschaft:	Technische Universität Braunschweig (Grad-verleihende Institution)
Weitere Verfasser:	Hangleiter, Andreas (AkademischeR BetreuerIn), Scholz, Ferdinand (AkademischeR BetreuerIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Braunschweig 2016
Schlagworte:	Hochschulschrift > Galliumnitrid > Aluminiumnitrid > Indiumnitrid > Epitaxieschicht > Halbleitersubstrat
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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