The source/drain engineering of nanoscale germanium-based MOS devices

Dissertation, Peking University, Beijing

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Li, Zhiqiang (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Berlin, Heidelberg Springer 2016
Schriftenreihe:	Springer theses Recognizing outstanding Ph.D. research
Schlagworte:	Hochschulschrift > MOS-FET > Germanium > Nanometerbereich > Source > Drain > Kontaktwiderstand > Parasitäres Element > Schottky-Kontakt
Online Zugang:	Inhaltstext Inhaltsverzeichnis http://www.springer.com/
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