The source/drain engineering of nanoscale germanium-based MOS devices

The source/drain engineering of nanoscale germanium-based MOS devices

Dissertation, Peking University, Beijing

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Li, Zhiqiang (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: Berlin, Heidelberg Springer 2016
Schriftenreihe:Springer theses Recognizing outstanding Ph.D. research
Schlagworte:
Hochschulschrift > MOS-FET > Germanium > Nanometerbereich > Source > Drain > Kontaktwiderstand > Parasitäres Element > Schottky-Kontakt
Online Zugang:Inhaltstext
Inhaltsverzeichnis
http://www.springer.com/
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Beschreibung
Zusammenfassung:Dissertation, Peking University, Beijing
Beschreibung:xiv, 59 Seiten
Illustrationen
24 cm
ISBN:366249681X
3-662-49681-X
9783662496817
978-3-662-49681-7