Ge addition during 4H-SiC epitaxial growth by CVD: mechanism of incorporation

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (10. : 2014 : Grenoble) Silicon carbide and related materials 2014
Weitere Verfasser:	Soulière, Veronique (BerichterstatterIn), Alassaad, Kassem (BerichterstatterIn), Cauwet, François (BerichterstatterIn), Peyre, Herve (BerichterstatterIn), Kups, Thomas (BerichterstatterIn), Pezoldt, Jörg (BerichterstatterIn), Kwasnicki, Pawel (BerichterstatterIn), Ferro, Gabriel (BerichterstatterIn)
Pages:	2014
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2015
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Titel	Jahr	Verfasser
Mechanical properties and residual stress of thin 3C-SiC(100) films determined using MEMS structures	2015	Hähnlein, Bernd
Ge addition during 4H-SiC epitaxial growth by CVD: mechanism of incorporation	2015