Hochvolt-Bauelemente in SOI-Technologie für Ultraschall-Anwendungen (HoVo-BUS) : Schlussbericht ; Projektvorhaben in der BMBF/ENIAC-Förderinitiative (Call-2): Nanoelectronics for Mobile AAL-Systems (MAS) ; Berichtszeitraum: 01.04.2010 - 30.09.2013

Hochvolt-Bauelemente in SOI-Technologie für Ultraschall-Anwendungen (HoVo-BUS) Schlussbericht ; Projektvorhaben in der BMBF/ENIAC-Förderinitiative (Call-2): Nanoelectronics for Mobile AAL-Systems (MAS) ; Berichtszeitraum: 01.04.2010 - 30.09.2013

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: X-FAB Semiconductor Foundries AG (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Kittler, Gabriel (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Erfurt 2014
Schlagworte:
Forschungsbericht
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 16SV4061. - Verbund-Nr. 01078961. - Engl. Berichtsbl. u.d.T.: Final report of the project: High-voltage devices in SOI technology for ultrasound applications in the context of the project: Nanoelectronics for Mobile AAL-Systems (MAS) of the BMBF/JU ENIAC funding initiative (call-2)
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Beschreibung:14 Bl.
Ill., graph. Darst.