Verbundprojekt: Monolithisch-integrierbare Silizium-basierte photonische Bauelemente für Telekommunikations-Applikationen - MISTRAL, Teilvorhaben: Germanium-Epitaxie für Silicon-on-Insulator (SOI)-Ge Detektoren : Abschlussbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.08.2009 - 31.07.2012 + Verlängerung bis 31.12.2012

Verbundprojekt: Monolithisch-integrierbare Silizium-basierte photonische Bauelemente für Telekommunikations-Applikationen - MISTRAL, Teilvorhaben: Germanium-Epitaxie für Silicon-on-Insulator (SOI)-Ge Detektoren Abschlussbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.08.2009 - 31.07.2012 + Verlängerung bis 31.12.2012

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Osten, H. Jörg (VerfasserIn)
Körperschaft: Universität Hannover Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Tetzlaff, Dominic (VerfasserIn), Wietler, Tobias (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Hannover LUH; Inst. für Materialien und Bauelemente der Elektronik ca. 2013
Schlagworte:
Forschungsbericht
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 16BL0805 [neu] - 01BL0805 [alt]. - Verbund-Nr. 01062677. - Engl. Berichtsbl. u.d.T.: Germanium epitaxy for silicon-on-insulator (SOI)-Ge detectors, part of the joint project: Monolithic integration of silicon-based photonic devices for telecommunication application - MISTRAL
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Beschreibung:10 Bl.
Ill., graph. Darst.