Verbundprojekt: Epitaxie von monolithisch integrierten III-V Materialien auf Silizium als Lichtemitter, Teilprojekt: Herstellung von Gruppe-III-Nitrid Halbleiter-Nanosäulen auf Si durch Selbstorganisation und selektives MBE Wachstum, Akronym MONALISA : Abschlussbericht ; Förderzeitraum: 01.08.2008 - 30.11.2011

Verbundprojekt: Epitaxie von monolithisch integrierten III-V Materialien auf Silizium als Lichtemitter, Teilprojekt: Herstellung von Gruppe-III-Nitrid Halbleiter-Nanosäulen auf Si durch Selbstorganisation und selektives MBE Wachstum, Akronym MONALISA Abschlussbericht ; Förderzeitraum: 01.08.2008 - 30.11.2011

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Trampert, Achim (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Berlin 2011 i.e. 2012
Schlagworte:
Forschungsbericht
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 01BL0810. - Verbund-Nr. 01063071. - Engl. Berichtsbl. u.d.T.: Epitaxy of monolithically integrated III-V materials on silicon as light emitters: fabrication of group III Nitride semiconductor nanowires on Si by self organised and selective MBE growth
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden. - Auch als elektronische Ressource vorh
Beschreibung:29 S.
Ill., graph. Darst.