GaAs und GaN basierte Quantenpunkt-Halbleiteremitter und optimierte Nachweiselektroniken für Systemuntersuchungen zu Quantenkryptographie-Übertragungsprotokollen (QPENS) : Abschlussbericht zum Verbundprojekt ; Teilvorhaben: Entwicklung einer MOCVD-Anlagentechnik zur verbesserten Herstellung von Nano-Strukturen in den Materialsystemen AIGaInN

GaAs und GaN basierte Quantenpunkt-Halbleiteremitter und optimierte Nachweiselektroniken für Systemuntersuchungen zu Quantenkryptographie-Übertragungsprotokollen (QPENS) Abschlussbericht zum Verbundprojekt ; Teilvorhaben: Entwicklung einer MOCVD-Anlagentechnik zur verbesserten Herstellung von Nano-Strukturen in den Materialsystemen AIGaInN

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Heuken, Michael (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Giesen, Christoh (VerfasserIn), Schineller, Bernd (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Herzogenrath AIXTRON SE ca. 2012
Schlagworte:
Forschungsbericht
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 13N9899. - Verbund-Nr. 01064292
Auch als elektronische Ressource vorh
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Beschreibung:31 Bl.
Ill., graph. Darst.