Neuartige Technologien für Hochvolumenanwendungen von Silizium Mikrosystemen, Teilprojekt: Porös geätztes Silizium als Basisprozess für ultradünne Chips : Abschlussbericht zum Verbundprojekt "PROMIKRON"

Neuartige Technologien für Hochvolumenanwendungen von Silizium Mikrosystemen, Teilprojekt: Porös geätztes Silizium als Basisprozess für ultradünne Chips Abschlussbericht zum Verbundprojekt "PROMIKRON"

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: Institut für Mikroelektronik Stuttgart (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Harendt, Christine (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Stuttgart ca. 2011
Schlagworte:
Forschungsbericht > Silicium > Wafer > Chip > Dünne Schicht
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 13N9746. - Verbund-Nr. 01063312
Auch als elektronische Ressource vorh
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Beschreibung:37 S.
Ill., graph. Darst.