DEvice & Clrcuit performance boosted through Sllicon material Fabrication (DECISIF), Teilvorhaben: Erforschung von hochverspannten Si- und SiGe-Nanostrukturen und Herstellung von MOSFETs auf sSOI Schlussbericht ; Berichtszeitraum: 01.08.2008 - 31.07.2011
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| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Jülich
2012
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Tag hinzufügen | Beschreibung: | Förderkennzeichen BMBF 13N9883 [falsch] - 13N9882 [richtig]. - Verbund-Nr. 01064918. - Engl. Berichtsbl. u.d.T.: Study of highly strained Si- and SiGe-nanostructures and fabrication of MOSFETs on SSOI Auch als elektronische Ressource vorh. - Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden |
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| Beschreibung: | 23 S. Ill., graph. Darst. |