Device & circuit performance boosted through silicon material fabrication (DECISIF), Teilvorhaben AMD/Globalfoundries: Skalierung und lokale Spannungs-Induzierung zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit moderner VLSI-CMOS-FETs auf verspannten SOI-Substraten : Schlussbericht zum Projekt ; Laufzeit: 01.08.2008 - 31.07.2011

Device & circuit performance boosted through silicon material fabrication (DECISIF), Teilvorhaben AMD/Globalfoundries: Skalierung und lokale Spannungs-Induzierung zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit moderner VLSI-CMOS-FETs auf verspannten SOI-Substraten Schlussbericht zum Projekt ; Laufzeit: 01.08.2008 - 31.07.2011

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: Globalfoundries (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Dresden 2012
Schlagworte:
Forschungsbericht
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 13N9880. - Verbund-Nr. 01064918
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden. - Auch als elektronische Ressource vorh
Beschreibung:42 Bl.
Ill., graph. Darst.