Subcritical crack growth measurements for silicon carbide and use in design

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Trantina, G. G. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Johnson, C. A. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Schenectady, NY General Electric, Corporate Research and Development 1975
Schriftenreihe:	Report / General Electric Company, Corporate Research and Development Class 1 75,197
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