Post-Si-CMOS electronic devices the role of Ge and III-V materials ; Strasbourg, France ; [... collection of selected papers presented at the Symposium H: "Post-Si-CMOS Electronic Devices : the Role of Ge and III-V Materials" of the E-MRS 2010 spring meeting, held in Strasbourg, France, from June, 7th to 11th, 2010]

Bibliographische Detailangaben

Körperschaft:	European Materials Research Society (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Molle, Alessandro (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Amsterdam u.a. Elsevier 2011
Schriftenreihe:	Microelectronic engineering 88.2011,4
Schlagworte:	Konferenzschrift
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