Effect of uniaxial stress on the acceptor ground state and on the hopping conduction in p-type germanium and silicon

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Buczko, R. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Chroboczek, J. A. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Miramare-Trieste International Centre for Theoretical Physics 1983
Schriftenreihe:	International Centre for Theoretical Physics IC 83,237
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