2010 wide bandgap cubic semiconductors: from growth to devices proceedings of the E-MRS symposium F, Strasbourg, France, 8 - 10 June 2010

Cubic silicon carbide (3C-SiC). 3C-SiC epitaxial growth -- 3C-SiC characterizations and devices -- Diamond growth, characterizations and devices -- Cubic III-nitride growth, chracterizations and devices -- Other wide bandgap cubic semiconductors and heterostructures.

Bibliographische Detailangaben

Körperschaften:	European Materials Research Society (BerichterstatterIn), Europäische Wissenschaftsstiftung (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Ferro, Gabriel (BerichterstatterIn), Siffert, Paul (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Melville, NY American Inst. of Physics 2010
Schriftenreihe:	AIP conference proceedings 1292
Schlagworte:	Wide gap semiconductors > Konferenzschrift > Wide-bandgap Halbleiter
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis Verlagsangaben Abstracts
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