2010 wide bandgap cubic semiconductors: from growth to devices : proceedings of the E-MRS symposium F, Strasbourg, France, 8 - 10 June 2010

2010 wide bandgap cubic semiconductors: from growth to devices proceedings of the E-MRS symposium F, Strasbourg, France, 8 - 10 June 2010

Cubic silicon carbide (3C-SiC). 3C-SiC epitaxial growth -- 3C-SiC characterizations and devices -- Diamond growth, characterizations and devices -- Cubic III-nitride growth, chracterizations and devices -- Other wide bandgap cubic semiconductors and heterostructures.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaften: European Materials Research Society (BerichterstatterIn), Europäische Wissenschaftsstiftung (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Ferro, Gabriel (BerichterstatterIn), Siffert, Paul (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: Melville, NY American Inst. of Physics 2010
Schriftenreihe:AIP conference proceedings 1292
Schlagworte:
Wide gap semiconductors > Konferenzschrift > Wide-bandgap Halbleiter
Online Zugang:Inhaltsverzeichnis
Verlagsangaben
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Beschreibung
Zusammenfassung:Cubic silicon carbide (3C-SiC). 3C-SiC epitaxial growth -- 3C-SiC characterizations and devices -- Diamond growth, characterizations and devices -- Cubic III-nitride growth, chracterizations and devices -- Other wide bandgap cubic semiconductors and heterostructures.
Beschreibung:Sponsoring organizations: European Science Foundation
Symposium held as part of the E-MRS spring meeting 2010
Beschreibung:VII, 224 S.
Ill., graph. Darst.
ISBN:9780735408470
978-0-7354-0847-0