Efficient and predictive deterministic multisubband device simulations for strained nanoscale PMOSFETs

Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 2010

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Pham, Anh-Tuan (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2010
Schlagworte:	Hochschulschrift > MOS-FET > p-Kanal-FET
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Braunschweig, Techn. Univ., Diss., 2010 Zsfassung in engl. und dt. Sprache
Beschreibung:	VI, 165 S. Ill., graph. Darst.