Complex semiconductors operating at low temperatures comparative life test evaluation of three variants of 256K x 1 NMOS DRAM and three variants of 8K x 8 CMOS SRAM operating at low temperatures
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1. Verfasser: | |
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Format: | UnknownFormat |
Sprache: | eng |
Veröffentlicht: |
Hørsholm
Elektronikcentralen
1987
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Schriftenreihe: | EC-report
201 |
Schlagworte: | |
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