Konditionierung von Wafern mittels Dielektrischer Barrierenentladung zur Herstellung von Silizium-Mehrlagenaufbauten Schlussbericht für den Zeitraum: 01.11.2004 - 28.02.2007

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Bibliographische Detailangaben
Körperschaften:	Fraunhofer-Institut für Schicht- und Oberflächentechnik (BerichterstatterIn), Institut für Mikro- und Informationstechnik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Eichler, Marko (BerichterstatterIn), Nommensen, Peter (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Braunschweig u.a. 2007
Schlagworte:	Forschungsbericht > MEMS > Wafer > Silicium
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Beschreibung
Beschreibung:	Förderkennzeichen: AiF 165 ZN Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden. - Auch als elektronische Ressource vorh
Beschreibung:	75 Bl. Ill., graph. Darst.