Fully unstrained GaN on sacrificial AlN layers by nano-heteroepitaxy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi / C
Weitere Verfasser:	Tonisch, Katja (BerichterstatterIn), Cimalla, Volker (BerichterstatterIn), Niebelschütz, Florentina (BerichterstatterIn), Romanus, Henry (BerichterstatterIn), Eickhoff, Martin (BerichterstatterIn), Ambacher, Oliver (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2007
Schlagworte:
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