Abschlussbericht zum Förderschwerpunkt GaN-Elektronik, Teilvorhaben: Hydrid-Gasphasenepitaxie zur Herstellung von GaN-Substraten

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Heuken, Michael (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Giesen, Christoph (VerfasserIn), Schineller, Bernd (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen AIXTRON AG ca. 2006
Schlagworte:	Forschungsbericht
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