Abschlussbericht zum Förderschwerpunkt GaN-Elektronik, Teilvorhaben: Hydrid-Gasphasenepitaxie zur Herstellung von GaN-Substraten
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Weitere Verfasser: | , |
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Aachen
AIXTRON AG
ca. 2006
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Tag hinzufügen | Beschreibung: | Förderkennzeichen BMBF 01BU404. - Engl. Zsfassung u.d.T.: Research Priority: GaN electronics, task: Hydride vapor phase epitaxy for the fabrication of GAN substrates. - Literaturverz. Bl. 11 - 12 Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden Auch als elektronische Ressource vorh |
|---|---|
| Beschreibung: | 30 Bl. graph. Darst. |