Charakterisierung von Leckstrompfaden in DRAM Speicherzellen und deren Reduktion

Zugl.:Hamburg-Harburg, Techn. Univ., Institut für Nanoelektronik, Diss., 2007

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Weber, Andreas (VerfasserIn)
Körperschaft:	Technische Universität Hamburg-Harburg Institut für Nanoelektronik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Krautschneider, Wolfgang (BerichterstatterIn), Albrecht, Wolfgang (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Göttingen Cuvillier 2007
Ausgabe:	1. Aufl.
Schlagworte:	Hochschulschrift > Dynamisches RAM > Speicherzelle > Refresh-Zyklus > Leckstrom
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Zugl.:Hamburg-Harburg, Techn. Univ., Institut für Nanoelektronik, Diss., 2007
Beschreibung:	X, 139 S. zahlr. graph. Darst.
ISBN:	3867271992 3-86727-199-2 9783867271998 978-3-86727-199-8