The influence of collector dopant profile on breakdown voltage and cutoff frequency of Si-based RF bipolar transistors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi / C
1. Verfasser:	Schippel, Christian (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Fu, Jun (VerfasserIn), Schwierz, Frank (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2006
Schlagworte:
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