Selektive Lötverfahren mit Hotgas oder Laser von Flip-Chip GaN Transistoren (Teststrukturen) sowie Keramik-Arrays auf Leiterkarten für Raumfahrtanwendungen : bisheriger Titel "Flip-Chip-Montage von Power-MOS-FET für Raumfahrtanwendungen ; Vorhaben DLR COMED NG ; Flip-Chip Montage ; Schlussbericht ; Vorhabenszeitraum: 01.10.2004 bis 30.12.2005

Selektive Lötverfahren mit Hotgas oder Laser von Flip-Chip GaN Transistoren (Teststrukturen) sowie Keramik-Arrays auf Leiterkarten für Raumfahrtanwendungen bisheriger Titel "Flip-Chip-Montage von Power-MOS-FET für Raumfahrtanwendungen ; Vorhaben DLR COMED NG ; Flip-Chip Montage ; Schlussbericht ; Vorhabenszeitraum: 01.10.2004 bis 30.12.2005

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Möss, Eberhard (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Zahn, Reinhold (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Backnang Tesat-Spacecom GmbH & Co. KG 2006
Ausgabe:Issue: A
Schlagworte:
Forschungsbericht > Flip-Chip-Technologie > Array > Löten > Heißgas > Laserstrahllöten
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 50YB0404. - Engl. Zsfassung u.d.T.: COMED NG "Flip chip bonding of power MOS-FET" - final report
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Auch als elektronische Ressource vorh
Beschreibung:42 Bl.
Ill., graph. Darst.