Doping efficiency and segregation of Si in AlN grown by molecular beam epitaxy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi / C
Weitere Verfasser:	Lebedev, Vadim (BerichterstatterIn), Morales Sánchez, Francisco Miguel (BerichterstatterIn), Romanus, Henry (BerichterstatterIn), Ecke, Gernot (BerichterstatterIn), Cimalla, Volker (BerichterstatterIn), Himmerlich, Marcel (BerichterstatterIn), Krischok, Stefan (BerichterstatterIn), Schäfer, Jürgen A. (BerichterstatterIn), Ambacher, Oliver (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2006
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