Förderschwerpunkt InP - Elektronik und -Substrate Teilvorhaben: Integrierte Schaltungen auf der Basis von InP-Heterobipolartransistoren für Bitraten > 80 Gbit/s ; Projektlaufzeit und Berichtszeitraum: Januar 2003 - Dezember 2004 (4. Zwischen- und Abschlussbericht)

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Quay, Rüdiger (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Freiburg 2005
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