Förderschwerpunkt InP - Elektronik und -Substrate : Teilvorhaben: Integrierte Schaltungen auf der Basis von InP-Heterobipolartransistoren für Bitraten > 80 Gbit/s ; Projektlaufzeit und Berichtszeitraum: Januar 2003 - Dezember 2004 (4. Zwischen- und Abschlussbericht)

Förderschwerpunkt InP - Elektronik und -Substrate Teilvorhaben: Integrierte Schaltungen auf der Basis von InP-Heterobipolartransistoren für Bitraten > 80 Gbit/s ; Projektlaufzeit und Berichtszeitraum: Januar 2003 - Dezember 2004 (4. Zwischen- und Abschlussbericht)

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Quay, Rüdiger (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Freiburg 2005
Schlagworte:
Forschungsbericht
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 01BP287. - Engl. Berichtsbl. u.d.T.: Integrated circuits based on InP hetero-bipolar transistors for bit rates > 80 Gbit/s
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Auch als elektronische Ressource vorh
Beschreibung:38 Bl.
Ill., graph. Darst.