Raman studies of Ge-promoted stress modulation in 3C-SiC grown on Si(111)

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters
Weitere Verfasser:	Zgheib, Charbel (BerichterstatterIn), McNeil, L. E. (BerichterstatterIn), Kazan, Michel (BerichterstatterIn), Masri, Pierre (BerichterstatterIn), Morales Sánchez, Francisco Miguel (BerichterstatterIn), Ambacher, Oliver (BerichterstatterIn), Pezoldt, Jörg (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2005
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