Growth of 3C-(Si1-xC1-y)Gex+y layers on 4H-SiC by molecular beam epitaxy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Silicon carbide and related materials 2004
Weitere Verfasser:	Weih, Petia (BerichterstatterIn), Romanus, Henry (BerichterstatterIn), Stauden, Thomas (BerichterstatterIn), Spieß, Lothar (BerichterstatterIn), Ambacher, Oliver (BerichterstatterIn), Pezoldt, Jörg (BerichterstatterIn)
Pages:	2004
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2005
Schlagworte:
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