Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen : Präparation, Morphologie und elektronische Eigenschaften

Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen Präparation, Morphologie und elektronische Eigenschaften

Zugl.: Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2004

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Fritsche, Rainer (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Berlin Mensch-und-Buch-Verl. 2004
Schlagworte:
Hochschulschrift > Silicium > Kristallfläche > Passivierung > Galliumselenide > Halbleitersubstrat > Epitaxie > Metall > Verbindungshalbleiter
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