Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen Präparation, Morphologie und elektronische Eigenschaften

Zugl.: Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2004

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Fritsche, Rainer (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Berlin Mensch-und-Buch-Verl. 2004
Schlagworte:	Hochschulschrift > Silicium > Kristallfläche > Passivierung > Galliumselenide > Halbleitersubstrat > Epitaxie > Metall > Verbindungshalbleiter
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Zugl.: Darmstadt, Techn. Univ., Diss., 2004
Beschreibung:	III, 167, VII S graph. Darst 21 cm
ISBN:	3898207986 3-89820-798-6