Einfluß der Halbleiter-Oxid-Grenzschicht auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Heime, Axel (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Veröffentlicht:	1977
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