Einfluß der Halbleiter-Oxid-Grenzschicht auf das Wechselstromverhalten von InSb-MOS-Strukturen im Temperaturbereich von 5K bis 300K
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| Format: | UnknownFormat |
| Veröffentlicht: |
1977
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Tag hinzufügen | Beschreibung: | Darmstadt, Techn. Hochsch., Fachbereich 5 - Physik, Diss |
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| Beschreibung: | 106, A22 S. mit Abb. 8" |