Properties of gallium arsenide diode lasers 1. Interference effects in the far-field patterns of semiconductor diode lasers. 2. Gallium arsenide diode lasers with oblique angles between the resonator mirrors and the p-n junction. 3. Observation of mode coupling in Ga As lasers
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|---|---|
| Format: | UnknownFormat |
| Veröffentlicht: |
Bern
Lang
1968
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