Properties of gallium arsenide diode lasers 1. Interference effects in the far-field patterns of semiconductor diode lasers. 2. Gallium arsenide diode lasers with oblique angles between the resonator mirrors and the p-n junction. 3. Observation of mode coupling in Ga As lasers
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| Format: | UnknownFormat |
| Veröffentlicht: |
Bern
Lang
1968
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Tag hinzufügen | Beschreibung: | Bern, Diss. 1967 Aus: Physics letters. 24 A. 1967; Solid-state electronics. 9. 1968. Zeitschrift für angewandte Mathematik und Physik. 18. 1967 |
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| Beschreibung: | Getr. Pag. 8" |