Properties of gallium arsenide diode lasers 1. Interference effects in the far-field patterns of semiconductor diode lasers. 2. Gallium arsenide diode lasers with oblique angles between the resonator mirrors and the p-n junction. 3. Observation of mode coupling in GaAs lasers

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Deutsch, Christian (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Veröffentlicht:	Bern H. Lang 1968
Schriftenreihe:	Europäische Hochschulschriften / 12 1
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