Technical impediments to a more effective utilization of neutron transmutation doped silicon for high-power device fabrication

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Myers, D. R. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Washington, DC U.S. Gov. Print. Off. 1980
Schriftenreihe:	Semiconductor measurement technology 60
Schlagworte:
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!