4. Zwischenbericht und Abschlussbericht zum Teilprojekt Nano-SiGe-Bauelemente, Förderkennzeichen: 13N7900, Berichtszeitraum: 01.08.2000 - 31.07.2003, innerhalb des bmb+f-Verbundprojektes "Ultra-schnelle, ultra-verlustarme Informationstechnik-Komponenten mit Nano-SiGe-Bauelementen

SiGe Hetero-Fieldeffect-Transistors (HFETs), T - and [Gamma]-metal gates, nanotechnology, electron beam lithography

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Bibliographische Detailangaben
Körperschaft:	Gesellschaft für Angewandte Mikro- und Optoelektronik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Georgiev, Yordan (BerichterstatterIn), Henschel, Wolfgang (BerichterstatterIn), Kurz, Heinrich (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen 2003
Schlagworte:	Forschungsbericht
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Beschreibung
Zusammenfassung:	SiGe Hetero-Fieldeffect-Transistors (HFETs), T - and [Gamma]-metal gates, nanotechnology, electron beam lithography
Beschreibung:	Engl. Zsfassung u.d.T.: Ultra-fast and ultra-low-loss information technology components based on nano-SiGe devices Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden Auch als elektronische Ressource vorh
Beschreibung:	26 Bl Ill., graph. Darst