Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid

Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid

Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2004

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Weiß, Roland (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Aachen Shaker 2004
Schriftenreihe:Erlanger Berichte Mikroelektronik 2004,1
Schlagworte:
Hochschulschrift > Prozessführung > Schottky-Diode > Siliciumcarbid > Randschicht > Schottky-Kontakt > Ionenimplantation
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