Herstellung, Untersuchung und Modellierung von Schottky-Dioden mit ionenimplantierter Randfeldbegrenzung auf Siliciumcarbid

Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2004

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Weiß, Roland (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen Shaker 2004
Schriftenreihe:	Erlanger Berichte Mikroelektronik 2004,1
Schlagworte:	Hochschulschrift > Prozessführung > Schottky-Diode > Siliciumcarbid > Randschicht > Schottky-Kontakt > Ionenimplantation
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2004
Beschreibung:	152 S Ill., graph. Darst 21 cm
ISBN:	3832227415 3-8322-2741-5