Herstellung, Charakterisierung und elektrische Eigenschaften von modifizierten SiO2 Sol-Gel-Schichten für die Elektrotechnik/Elektronik

Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2004

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Shimamura, Aki (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Thust, Heiko (BerichterstatterIn), Knedlik, Christian (BerichterstatterIn), Hübert, Thomas (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: 2004
Schlagworte:
Hochschulschrift > Dünne Schicht > Sol-Gel-Verfahren > Siliciumdioxid > Elektrische Eigenschaft
Online Zugang:Inhaltsverzeichnis
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Beschreibung
Zusammenfassung:Ilmenau, Techn. Univ., Diss., 2004
Im Rahmen dieser Arbeit wurden durch Anwendung des Sol-Gel-Prozesses nanoskalierte Schichten mit spezifischen elektrischen Eigenschaften hergestellt, die eine Anwendung als Funktionswerkstoffe in der Elektrotechnik/Elektronik finden können. Da Sol-Gel-Schichten auf der Basis von Siliziumdioxid (SiO2) mit großer mechanischer und chemischer Beständigkeit einen hohen elektrischen Widerstand von >1015O·cm besitzen, wurden erstmalig zur gezielten Herabsetzung des elektrischen Widerstandes dieser Schichten in der dielektrischen Matrix (SiO2) elektrisch leitende Partikel aus Kohlenstoff (Ruß) oder Rutheniumdioxid in einem weiten Konzentrationsbereich dispergiert. Die durch Hydrolyse von TEOS und MTEOS hergestellten Schichten wurden hinsichtlich ihrer Dicke, Morphologie, Struktur und Zusammensetzung charakterisiert. - Die elektrischen Eigenschaften dieser neuartigen Sol-Gel-Schichten wurden untersucht und die Abhängigkeit des Widerstandes von der Füllstoffskonzentration, der Frequenz und der Temperatur so wie das I-V-Verhalten ermittelt. Der elektrische Leitungsmechanismus wird im Rahmen der Perkolationstheorie und eines daraus abgeleiteten geometrischen Modells starrer elektrisch leitender Kugeln in einer isolierenden Matrix diskutiert. - Mittels Siebdruck wurden erstmals SMD-Widerstände hergestellt, die aus einer kohlenstoffhaltigen Sol-Gel-Funktionsschicht und einer Sol-Gel-Passivierungsschicht bestehen. Die kohlenstoffhaltigen Schichten können darüber hinaus auch für regelbare Widerstände und Wegsensoren mit erhöhter Abriebfestigkeit und Temperaturbeständigkeit eingesetzt werden. Durch Dip-coating wurden dünne RuO2-haltige Sol-Gel-Schichten für SMD-Widerstände abgeschieden. Weiterhin können diese RuO2-haltigen Schichten in Feuchtsensoren verwendet werden.
Beschreibung:Parallel als Online-Ausg. erschienen unter der Adresse http://www.db-thueringen.de/servlets/DocumentServlet?id=1612
Beschreibung:107 Bl.
Ill., graph. Darst.