Wide Band Gap - Halbleiter, Teilvorhaben: Galliumnitrid-Hochfrequenzelektronik Laufzeit/ Berichtszeitraum: 1.04.2001 - 31.12.2002 ; Abschlussbericht

Calliumnitride, aluminiumnitride, High-electron mobility transistor (HEMT), microwave power ampflifier, MMIC, spontaneous polarization, piezoelectric polarization

Bibliographische Detailangaben

Körperschaft:	Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Weimann, Günter (BerichterstatterIn), Kiefer, R. (BerichterstatterIn), Quay, R. (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Freiburg 2003
Schlagworte:	Forschungsbericht
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