Wide Band Gap - Halbleiter, Teilvorhaben: Galliumnitrid-Hochfrequenzelektronik : Laufzeit/ Berichtszeitraum: 1.04.2001 - 31.12.2002 ; Abschlussbericht

Wide Band Gap - Halbleiter, Teilvorhaben: Galliumnitrid-Hochfrequenzelektronik Laufzeit/ Berichtszeitraum: 1.04.2001 - 31.12.2002 ; Abschlussbericht

Calliumnitride, aluminiumnitride, High-electron mobility transistor (HEMT), microwave power ampflifier, MMIC, spontaneous polarization, piezoelectric polarization

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Weimann, Günter (BerichterstatterIn), Kiefer, R. (BerichterstatterIn), Quay, R. (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Freiburg 2003
Schlagworte:
Forschungsbericht
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Beschreibung
Zusammenfassung:Calliumnitride, aluminiumnitride, High-electron mobility transistor (HEMT), microwave power ampflifier, MMIC, spontaneous polarization, piezoelectric polarization
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 01 BM 156. - Engl. Zsfass. u.d.T.: Galliumnitride-based RF electronics. - Literaturverz. Bl. 14
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Auch als elektronische Ressource vorh
Beschreibung:31 Bl
Ill., graph. Darst