Galliumnitrid- Hochfrequenzelektronik, Teilvorhaben: Multiwafer GaN MOVPE für elektronische Bauelemente Verbundprojekt ; Schlußbericht zum Vorhaben

MOCVD, GaN, AIGaN, high-power electronics, HEMT, Planetary Reactor®

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Schineller, Bernd (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Heuken, Michael (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen Aixtron AG 2003
Schlagworte:	Forschungsbericht
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!